როგორ გავაფართოვოთ IGBT დრაივერის მიმდინარეობა?

ელექტრული ნახევარგამტარის დრაივერის წრე არის ინტეგრირებული სქემების მნიშვნელოვანი ქვეკატეგორია, მძლავრი, გამოიყენება IGBT დრაივერის IC-ებისთვის, გარდა დისკის დონისა და დენის უზრუნველყოფისა, ხშირად დრაივის დაცვის ფუნქციებით, მათ შორის დესატურაციის მოკლე ჩართვის დაცვა, ძაბვის ნაკლებობის გამორთვა, მილერის დამჭერი, ორეტაპიანი გამორთვა. , რბილი გამორთვა, SRC (slew rate control) და ა.შ. პროდუქტებს ასევე აქვთ სხვადასხვა დონის საიზოლაციო მოქმედება.თუმცა, როგორც ინტეგრირებული წრე, მისი პაკეტი განსაზღვრავს ენერგიის მაქსიმალურ მოხმარებას, დრაივერის IC გამომავალი დენი ზოგიერთ შემთხვევაში შეიძლება იყოს 10A-ზე მეტი, მაგრამ მაინც ვერ დააკმაყოფილებს მაღალი დენის IGBT მოდულების მამოძრავებელ საჭიროებებს, ეს ნაშრომი განიხილავს IGBT მამოძრავებელს. მიმდინარე და მიმდინარე გაფართოება.

როგორ გავაფართოვოთ დრაივერის დენი

როდესაც საჭიროა ამძრავის დენის გაზრდა, ან IGBT-ების მართვისას მაღალი დენით და დიდი კარიბჭის ტევადობით, აუცილებელია დენის გაფართოება დრაივერის IC-ისთვის.

ბიპოლარული ტრანზისტორების გამოყენება

IGBT კარიბჭის დრაივერის ყველაზე ტიპიური დიზაინი არის მიმდინარე გაფართოების რეალიზება დამატებითი ემიტერი მიმდევრის გამოყენებით.ემიტერის მიმდევარი ტრანზისტორის გამომავალი დენი განისაზღვრება hFE ან β ტრანზისტორის DC მომატებით და IB ბაზის დენით, როდესაც IGBT-ის მართვისთვის საჭირო დენი მეტია IB*β-ზე, მაშინ ტრანზისტორი შევა ხაზოვან სამუშაო არეალში და გამომავალში. დისკის დენი არასაკმარისია, მაშინ IGBT კონდენსატორის დატენვის და განმუხტვის სიჩქარე შენელდება და IGBT დანაკარგები გაიზრდება.

MOSFET-ების გამოყენება

MOSFET-ები ასევე შეიძლება გამოყენებულ იქნას დრაივერის დენის გაფართოებისთვის, წრე ჩვეულებრივ შედგება PMOS + NMOS-ისგან, მაგრამ მიკროსქემის სტრუქტურის ლოგიკური დონე საპირისპიროა ტრანზისტორი Push-pull-ისგან.ზედა მილის PMOS წყაროს დიზაინი დაკავშირებულია დადებით ელექტრომომარაგებასთან, კარიბჭე უფრო დაბალია, ვიდრე მოცემული ძაბვის PMOS-ის წყარო, ხოლო დრაივერის IC გამომავალი ზოგადად ჩართულია მაღალი დონის, ამიტომ PMOS + NMOS სტრუქტურის გამოყენება შეიძლება მოითხოვოს ინვერტორი დიზაინში.

ბიპოლარული ტრანზისტორებით თუ MOSFET-ებით?

(1) ეფექტურობის განსხვავებები, როგორც წესი, მაღალი სიმძლავრის აპლიკაციებში, გადართვის სიხშირე არ არის ძალიან მაღალი, ამიტომ გამტარობის დაკარგვა მთავარია, როდესაც ტრანზისტორს აქვს უპირატესობა.ბევრი მიმდინარე მაღალი სიმძლავრის დიზაინი, როგორიცაა ელექტრო სატრანსპორტო საავტომობილო ძრავები, სადაც სითბოს გაფრქვევა რთულია და ტემპერატურა მაღალია დახურულ კორპუსში, როდესაც ეფექტურობა ძალიან მნიშვნელოვანია და შესაძლებელია ტრანზისტორის სქემების არჩევა.

(2) ბიპოლარული ტრანზისტორი ხსნარის გამოსავალს აქვს ძაბვის ვარდნა, რომელიც გამოწვეულია VCE(sat) მიერ, მიწოდების ძაბვა უნდა გაიზარდოს წამყვანი მილის VCE(sat) კომპენსაციისთვის, რათა მიაღწიოს წამყვანი ძაბვას 15 ვ, ხოლო MOSFET ხსნარს შეუძლია თითქმის მიაღწიოს სარკინიგზო გამომუშავებას.

(3) MOSFET გაუძლებს ძაბვას, VGS მხოლოდ დაახლოებით 20 ვ, რაც შეიძლება იყოს პრობლემა, რომელსაც ყურადღება სჭირდება დადებითი და უარყოფითი კვების წყაროების გამოყენებისას.

(4) MOSFET-ებს აქვთ უარყოფითი ტემპერატურის კოეფიციენტი Rds(on), ხოლო ბიპოლარულ ტრანზისტორებს აქვთ დადებითი ტემპერატურული კოეფიციენტი და MOSFET-ებს აქვთ თერმული გაქცევის პრობლემა, როდესაც დაკავშირებულია პარალელურად.

(5) თუ მართავთ Si/SiC MOSFET-ებს, ბიპოლარული ტრანზისტორების გადართვის სიჩქარე ჩვეულებრივ უფრო ნელია, ვიდრე მამოძრავებელი ობიექტის MOSFET-ები, რაც უნდა ჩაითვალოს MOSFET-ების გამოყენებაზე დენის გასაგრძელებლად.

(6) შეყვანის საფეხურის გამძლეობას ESD-ზე და დენის ძაბვაზე, ბიპოლარული ტრანზისტორი PN შეერთებისას აქვს მნიშვნელოვანი უპირატესობა MOS კარიბჭის ოქსიდთან შედარებით.

ბიპოლარული ტრანზისტორები და MOSFET მახასიათებლები არ არის იგივე, რა უნდა გამოიყენოთ ან თავად უნდა გადაწყვიტოთ სისტემის დიზაინის მოთხოვნების შესაბამისად.

სწრაფი ფაქტები NeoDen-ის შესახებ

① დაარსდა 2010 წელს, 200+ თანამშრომელი, 8000+ კვ.მ.ქარხანა.

② NeoDen პროდუქტები: Smart სერიის PNP მანქანა, NeoDen K1830, NeoDen4, NeoDen3V, NeoDen7, NeoDen6, TM220A, TM240A, TM245P, გადამამუშავებელი ღუმელი IN6, IN12, შედუღების პასტის პრინტერი 60, FP263.

③ წარმატებული 10000+ მომხმარებელი მთელს მსოფლიოში.

④ 30+ გლობალური აგენტი დაფარულია აზიაში, ევროპაში, ამერიკაში, ოკეანიასა და აფრიკაში.

⑤ R&D ცენტრი: 3 R&D დეპარტამენტი 25+ პროფესიონალი R&D ინჟინრით.

⑥ ჩამოთვლილია CE-ში და მიიღო 50+ პატენტი.

⑦ 30+ ხარისხის კონტროლისა და ტექნიკური მხარდაჭერის ინჟინერი, 15+ უფროსი საერთაშორისო გაყიდვები, კლიენტის დროული რეაგირება 8 საათის განმავლობაში, პროფესიული გადაწყვეტილებების მიწოდება 24 საათის განმავლობაში.